本文介绍了新的CoolSiC™ 2000V SiC沟槽栅MOSFET系列。该系列单管产品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封装，具有加大的爬电距离和电气间隙，使用.XT焊接芯片技术。芯片同时用于62mm封装的半桥模块和EasyPACK™ 3B封装的升压模块。这些产品的性能提高了系统功率密度，可靠性和 ...

在本教程中，我们将学习如何使用MOSFET模块控制直流电机速度。 特朗普集团近日取消了其新推出的T1智能手机“将在美国制造”的宣传标语，此举源于外界对这款手机能否以当前定价在美国本土生产的质疑。 美国总统特朗普在公开场合表示，他已要求苹果公司CEO ...

【摘要】针对硅基绝缘栅双极型晶体管（IGBT）难以进一步满足电动汽车高功率密度、低导通损耗、高散热能力等需求的不足，综述了车用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC-MOSFET）的最新研究进展。通过总结SiCMOSFET 在电动汽车牵引逆变器、DC/DC 电源变换 ...

本文研究SiC碳化硅功率模块及分立器件，功率模块主要包括碳化硅MOSFET模块（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二极管（主要是碳化硅肖特二极管）。 根据QYResearch最新调研报告显示，2023年全球碳化硅SiC功率器件市场规模大约为31亿美元 ...

日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”；额定电压为1700V、额定漏极电流为400A的“MG400V2YMS3”。这是东芝首款具有此类电压 ...

据麦姆斯咨询报道，咨询机构Yole看好碳化硅（SiC）器件市场前景，2016~2020年该市场的复合年增长率（CAGR）为28%。由于工业 ...